Analysis of nth Power Law MOSFET Model

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Experimental verification of the usefulness of the nth power law MOSFET model under hot carrier wearout

In this paper the usefulness of the nth power law MOSFET model under Hot Carrier Injection (HCI) wearout has been experimentally demonstrated. In order to do that, three types of nFET transistors have been analyzed under different HCI conditions and the nth power law MOSFET model has been extracted for each sample. The results show that the model can reproduce the MOSFET behavior under HCI wear...

متن کامل

A Physical Alpha-Power Law MOSFET Model

A new compact physics-based Alpha-Power Law MOSFET Model is introduced to enable projections of low power circuit performance for future generations of technology by linking the simple mathematical expressions of the original Alpha-Power Law Model with their physical origins. The new model, verified by HSPICE simulations and measured data, includes: 1) a subthreshold region of operation for eva...

متن کامل

analysis of power in the network society

اندیشمندان و صاحب نظران علوم اجتماعی بر این باورند که مرحله تازه ای در تاریخ جوامع بشری اغاز شده است. ویژگیهای این جامعه نو را می توان پدیده هایی از جمله اقتصاد اطلاعاتی جهانی ، هندسه متغیر شبکه ای، فرهنگ مجاز واقعی ، توسعه حیرت انگیز فناوری های دیجیتال، خدمات پیوسته و نیز فشردگی زمان و مکان برشمرد. از سوی دیگر قدرت به عنوان موضوع اصلی علم سیاست جایگاه مهمی در روابط انسانی دارد، قدرت و بازتولید...

15 صفحه اول

Alpha-Power Law MOSFET Model and its Applications to CMOS Inverter Delay and Other Formulas

A simple yet realistic MOS model, namely the a-power law MOS model, is introduced to include the carrier velocity saturation effect, which becomes eminent in short-channel MOSFET’s. The model is an extension of Shockley’s square-law MOS model in the saturation region. Since the model is simple, it can be applied for handling MOSFET circuits analytically and can predict the circuit behavior in t...

متن کامل

Power Vs . Logarithmic Model of Fitts ’ Law : a Mathematical Analysis

résumé – Modèle de puissance vs. logarithmique de la loi de Fitts : une analyse mathématique. Après bientôt soixante années d’études, il reste toujours à déterminer si la loi de Fitts, un modèle célèbre du mouvement de pointage humain, est une loi logarithmique ou de puissance. Dans deux articles abondamment cités, Meyer & al. ont avancé l’idée que le modèle de puissance qu’ils ont déduit de le...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: International Journal of Advanced Research in Electrical, Electronics and Instrumentation Engineering

سال: 2014

ISSN: 2320-3765,2278-8875

DOI: 10.15662/ijareeie.2014.0311017